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- 无线充电发射模块（桌面式）低压MOS管在1V至40V左右。
- 低压MOS管则适用于那些工作电压较低的场景，如移动设备、低功耗电路和数据处理应用。低压MOS管一股以贴片式为主
- 高压MOS管的电压范围在400V至1000V之间。
- 高压MOS管常用于那些需要高电压环境下具备低导通电阻和高耐压能力的电路,例如电源和电能控制器。
- 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料，具有显著特点和优势，在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。
- 碳化硅（SiC）SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。
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公司简介/ Company profile
深圳市诺芯盛科技有限公司成立于2022年3月1日，主营无线充电方案设计及模块PCBA制造；代理分销国产中低压MOS管、高压MOS管、第三代半导体GaN、SiC等产品；品牌：安森德ASDsemi、APM等国产MOS系列。
公司产品主要面向消费类、电子类客户：智能数码、家用电器、电源、充电器产品、照明产品、保温系列产品。诺芯盛科技一贯坚持“以诚感人、以质取人、以信待人”的经营方针，结合市场变化和客户要求，致力于同客户建立长期的合作伙伴关系，在售后服务等完善服务，赢得了客户的广泛好评！
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场效应mos管参数大全
MOS管是一种电压控制型晶体管，由金属、氧化物和半导体三层结构组成。主要分为N沟道和P沟道两种类型。其工作原理是通过栅极电压...
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mos管n沟道和p沟道的应用
本文主要介绍了结型场效应管（JFET）的定义、特性、应用实例和在音频、无线通信和数字逻辑电路中的作用。JFET具有高输入阻抗...
常见问答/ FAQmore+
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MOS管驱动电路详解
MOS管的驱动电路设计至关重要，因为它直接影响到MOS管的工作效率、稳定性以及寿命
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碳化硅mos管驱动电路原理及应用
碳化硅(SiC)材料因其优越的性能和高效的热传导特性，已成为功率半导体器件的首选材料。碳化硅MOS管驱动电路的原理与设计方法
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vmos管和mos管的内部结构图
本文主要介绍了VMOS和DMOS两种常见的MOS管类型，VMOS管主要依赖V形槽形成导电沟道，而DMOS管通过两次扩散形成P型区和N+型区的结深差，简化了制造工艺，但电流方向不同于VVMOS。
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三极管mos管和igbt的区别，到底是什么？
本文主要介绍了三种半导体器件：三极管、MOS管和IGBT的定义、结构、工作原理和主要特点。三极管主要用于放大和开关，MOS管主要用于电压控制电流，IGBT则主要用于开关和放大。
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探索增强型和耗尽型mos管工作原理及详解的神秘指南
增强型和耗尽型MOSFET的主要区别在于它们的导电通道形成方式不同。增强型MOSFET需要外部电压来创建导电通道，而耗尽型MOSFET则预先存在一个导电通道，通过门极电压来调节其电导率。这两种类型的M
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电焊机mos管是增强型还是耗尽型，你知道吗？
本文探讨了电焊机中使用的MOS管类型及其作用，分为增强型和耗尽型两种。增强型MOS管在零电压下没有漏电流，适合高压侧开关和信号开关，但输入阻抗较高。耗尽型MOS管在零电压下存在漏电流，适用于低压侧或信
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n沟道mos管导通条件
本文详细解析了n沟道MOS管的导通条件及其工作机理，并介绍了相关的应用实例与注意事项。n沟道MOS管是电子技术中的关键元件，其导通条件包括栅极电压、漏极电压和负载连接。在不同工作区域，n沟道MOS管会
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