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- 无线充电发射模块（桌面式）低压MOS管在1V至40V左右。
- 低压MOS管则适用于那些工作电压较低的场景，如移动设备、低功耗电路和数据处理应用。低压MOS管一股以贴片式为主
- 高压MOS管的电压范围在400V至1000V之间。
- 高压MOS管常用于那些需要高电压环境下具备低导通电阻和高耐压能力的电路,例如电源和电能控制器。
- 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料，具有显著特点和优势，在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。
- 碳化硅（SiC）SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。
走进 · 诺芯盛科技ABOUT US
公司简介/ Company profile
深圳市诺芯盛科技有限公司成立于2022年3月1日，主营无线充电方案设计及模块PCBA制造；代理分销国产中低压MOS管、高压MOS管、第三代半导体GaN、SiC等产品；品牌：安森德ASDsemi、APM等国产MOS系列。
公司产品主要面向消费类、电子类客户：智能数码、家用电器、电源、充电器产品、照明产品、保温系列产品。诺芯盛科技一贯坚持“以诚感人、以质取人、以信待人”的经营方针，结合市场变化和客户要求，致力于同客户建立长期的合作伙伴关系，在售后服务等完善服务，赢得了客户的广泛好评！
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mos管米勒平台下陷的原因
本文提供了一套全面而实用的指导方法，帮助读者轻松掌握识别贴片MOS管引脚的技能。主要方法包括目视检查法、引脚标识识别法和万用...
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mosfet驱动如何选
N沟道增强型MOSFET是一种电压控制型器件，具有高开关速度、低导通电阻和良好的热稳定性。它广泛应用于模拟和数字电路中，是许...
常见问答/ FAQmore+
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半导体器件mos阈值电压公式
本文介绍了半导体器件中MOS晶体管的阈值电压计算方法，包括阈值电压公式、影响因素和测量方法。理解阈值电压对于优化MOS管性能至关重要，需要结合实验数据和模拟结果。阈值电压的调整也是研究领域，通过工艺参
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mos管防止电流倒灌的方法
本文系统探讨了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）在防止电流倒灌方面的原理、应用以及具体案例分析。N沟道和P沟道MOS管在防倒灌电路中的应用原理和设计优化方法进行了详细讲解。
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mos管驱动电流一般多少
本文探讨了MOSFET驱动电流的估算方法、影响因素及实际应用中的注意事项。通过基本公式和实例解析，可以计算出驱动电流。影响因素包括总闸电荷、门源电荷、门漏电荷和过冲电荷。在实际应用中，应注意考虑这些问
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mos管烧坏的原因
MOS管是电子电路中的重要元件，它在过压、过流、静电和高温等条件下容易损坏。因此，确保MOS管在正常工作范围内是至关重要的。
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mos管为什么能通过大电流的秘密！
很多人可能会好奇，为什么MOS管能够承受如此大的电流呢？本文将从MOS管的工作原理和结构等方面，为大家解答这个问题。
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mos管导通及截止条件
本文详述了MOS管的工作原理和导通与截止条件，分析了其在电路设计中的实际应用。MOS管由衬底、源极、漏极和栅极组成，通过栅源电压控制沟道的导电能力。当VGS大于阈值电压时，MOS管导通；漏源电压较小时
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mos管在电路中作用是什么
MOS管是现代电子设备的基石，具有超低功耗和超高速度等优势。它们在电力电子系统、电机驱动、功率放大等领域发挥关键作用。特斯拉Model 3电控系统采用72个MOS管组成的三相全桥电路，实现97%的电能
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