公司简介/ Company profile
深圳市诺芯盛科技有限公司成立于2022年3月1日,主营无线充电方案设计及模块PCBA制造;代理分销国产中低压MOS管、高压MOS管、第三代半导体GaN、SiC等产品;品牌:安森德ASDsemi、APM等国产MOS系列。
公司产品主要面向消费类、电子类客户:智能数码、家用电器、电源、充电器产品、照明产品、保温系列产品。诺芯盛科技一贯坚持“以诚感人、以质取人、以信待人”的经营方针,结合市场变化和客户要求,致力于同客户建立长期的合作伙伴关系,在售后服务等完善服务,赢得了客户的广泛好评!
[ 查看详情+ ]MOS管差分放大电路,由一对MOS管精心搭建而成,具有极高的输入阻抗和输出能力强的特性。它的工作原理主要基于电容的极小感抗和...
本文介绍了MOS管在音频放大电路中的作用和工作原理,通过合理设计,可以构建高效稳定的放大电路。
本文对比了PMOS防反接电路与传统二极管防反接电路,分析了两者在功耗、热稳定性、响应速度和集成度等方面的优劣。PMOS防反接电路具有低功耗、热稳定性好、响应速度快和集成度高的优点,适用于电子设备的防反
全桥MOS驱动芯片应用于电机控制、电源转换和无线充电,实现高效精确的电流调节与功率输出。
MOS管是电子电路中的重要器件,分为增强型和耗尽型两大类,根据导电沟道分为N型和P型,根据阈值电压分类为正阈值和负阈值。特殊类型包括双极型CMOS和NMOS/PMOS。随着技术发展,新型MOS管将不断
该文总结了MOS管与PWM在电力电子控制领域的协同作用,以及精密电流控制的三大核心策略。其中,MOS管具有低导通电阻和高频开关特性,通过调整栅源电压和脉冲占空比实现等效电压/电流的连续调节。
了解MOS管的工作电压对电路设计至关重要,N沟道和P沟道MOS管的载流子类型不同,工作电压也不同。选择MOS管时,最大耐压和最小导通电压是重要参数,应确保实际工作电压远低于最大耐压,以避免损坏器件。最
在现代电力电子设备中,MOSFET是一种关键的半导体器件,容易发生雪崩击穿现象。其发生原因包括材料与工艺因素、结构设计因素以及外部工作条件。雪崩击穿的原因包括掺杂浓度、晶体缺陷、表面态密度、结深宽比和
为了使MOS管正常工作,我们需要为其提供合适的驱动电路。其中,自举电容是驱动电路中不可或缺的一部分,它在MOS管驱动电路中起着至关重要的作用。
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