MOSFET是电子设备中的关键组件，其开启电压和阈值电压是影响器件性能和应用的重要参数。开启电压指使器件导电的最小电压，阈值电压指在传输特性曲线中输出电流随输入电压急剧变化的横轴电压值。

推挽电路中的MOS管承受反向电压的原因主要包括变压器漏感、电路寄生参数和温度变化。这些因素会导致MOS管承受高于额定电压的尖峰电压、过高的导通电阻和额外的噪声干扰。为解决这些问题，可以采取降低变压器漏

MOS管在电子设备和电路设计中起着关键作用，其性能受驱动电流与驱动电阻影响。驱动电流决定开关速度，驱动电阻影响开关行为和稳定性。选择合适的驱动电阻有助于提高系统性能和可靠性。

MOSFET雪崩电压EAS是评估其在高压和高频条件下的可靠性的重要参数。测量方法包括非钳位感性开关的测试电路，通过测量电压和电流的变化，计算雪崩能量EAS。在电源设计中，应考虑雪崩能量的影响，以保护M

本文介绍了SiC MOSFET的关键参数，包括导通电阻、阈值电压、开关速度、击穿电压和热阻。SiC MOSFET因其优异的导通性能和低热阻，逐渐成为高功率、高温和高频应用的首选。了解这些参数有助于工程

本文深入探讨了MOS管中漏极电压（Vds）与栅极电压（Vgs）之间的关系，包括截止区、线性区和饱和区。漏极电压决定了电场分布和漏极电流的大小，而栅极电压控制电流流动。通过理解这些关系，可以更好地理解和

本文探讨了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在开关过程中可能遭受的瞬态过电压问题，通过引入RCD吸收电路，有效地保护了MOS管免受瞬态过电压的损害。RCD吸收电路由电阻、电容和二极管组成，当

MOS管损坏主要有四种情况：不导通或导通不良、短路和漏电、发热严重以及参数变化。其中，过流和过压是损坏的常见原因，而过压可能导致短路或漏电，过流可能导致MOS管发热严重，参数变化会影响电路的准确性和稳

MOSFET在使用过程中容易形成米勒平台，导致开关性能下降。通过分析，MOSFET基础知识、寄生电容的存在及形成过程，可帮助优化电路设计。在t2-t3期间，Cgd电容的充电阻碍了Vgs的升高，形成米勒

本文主要探讨了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）的漏极电流与温度的关系。漏极电流与温度存在正温度系数关系，温度升高导致漏极电流增加。此外，通过测量MOS管在不同温度下的漏极电流，可以更好地理解其