MOS管体二极管压降0.7-1V，影响电路效率与安全，高温降低损耗，低温增大压降，需合理设计以优化性能。

文章介绍了高速开关电路中MOS管栅极与源极间波形抖动的问题，分析了寄生参数引发的共振现象，并提出了阻尼元件、反馈网络调谐和器件参数优化等解决方案。

MOSFET驱动电阻选择需平衡开关速度、电磁干扰和稳定性，兼顾损耗与系统性能。

文章解析开关电源中MOS管的波形特征，包括驱动信号、Uds电压、栅极驱动和电流波形，阐述其在设计与调试中的重要性。

MOS管检测需先放电，使用万用表测二极管特性，判断导通压降及反向阻断情况，确保无短路或漏电。

MOS管击穿分为短路和断路，短路为主，由电压或静电引起，断路罕见，需极端条件。

MOS管过压损坏导致性能退化、热点形成及系统故障，表现为参数异常与宏观异常，需警惕隐性危机。

文章总结：MOS栅极驱动芯片发热问题复杂，涉及能量转换、热传导与动态调控，需多层级散热与智能温控优化。

MOS管击穿多因静电、电压尖峰、结构缺陷和热失控，需加强防护与选型裕量。

三相全桥MOSFET驱动电路通过精密的开关控制，实现高效能、高稳定性的能量转换，兼顾安全与效率。