MOS管H桥实现直流电机正反转控制，通过精确开关实现电流方向切换，高效节能。

24V直流电机使用H桥电路实现正反转，通过MOS管控制电流方向，确保安全运行。

文章总结：MOSFET选型需关注Vds、Id、Rds(on)及Qg，综合考虑效率、散热与成本，确保系统稳定运行。

本文从MOS管电流参数、导通电阻、耐压等级等方面解析其选型要点，强调安全性与效率的平衡。

MOS管体二极管压降0.7-1V，影响电路效率与安全，高温降低损耗，低温增大压降，需合理设计以优化性能。

文章介绍了高速开关电路中MOS管栅极与源极间波形抖动的问题，分析了寄生参数引发的共振现象，并提出了阻尼元件、反馈网络调谐和器件参数优化等解决方案。

MOSFET驱动电阻选择需平衡开关速度、电磁干扰和稳定性，兼顾损耗与系统性能。

文章解析开关电源中MOS管的波形特征，包括驱动信号、Uds电压、栅极驱动和电流波形，阐述其在设计与调试中的重要性。

MOS管检测需先放电，使用万用表测二极管特性，判断导通压降及反向阻断情况，确保无短路或漏电。

MOS管击穿分为短路和断路，短路为主，由电压或静电引起，断路罕见，需极端条件。