丽隽pipsemi MOSFET场效应管广泛应用于手机、笔电、PD快充、 充电宝、数据线、蓝牙耳机、蓝牙音箱、电子烟、电动工具、直流风扇、小家电、LED照明、 光伏、锂电、储能等众多行业细分领域。

丽隽pipsemi MOSFET产品系列性能特点及应用（12V~100V、30V~250V、500V~900V、40~1500V）





• PTD015N03LA

• SPTJ03R1D4LA

• PTP04N04A

• SPTF60R20FE

• F501D

• PCTF75R11A

• MBR30G45CT
  

• MBR30G60CT
  

特高压大电流平面MOSFET耐压等级：800-1500V



产品描述：

       特高压大电流平面MOS系列采用最先进的平面结构设计和更优的工艺制程，拥有更优的产品特性及可靠性。采用自主创新技术推出大电流平面线性MOS以适配工作在电流饱和区的应用，线性MOS具有低热阻、高功率密度和增强的正向偏压安全工作区(FBSOA)。

       40V-300V & 800V-1500V产品性能指标完全实现进口替代，处于国内领先地位，具有极强的竞争优势。

 

应用领域：

      专注于不间断电源、工业电源、变频器、光伏风电逆变、储能电源、智能电网等应用领域。




• PTD04N80

• PTD06N80

• PTA10N80

• PTA14N80

• PTF27N80

• PTFN50N80

• PTA02N90

• PTA04N90

• PTA06N90

• PTF09N90A

• PTF12N90

• PTF18N90

• PTF24N90
  

超高压平面MOSFET 耐压等级：1600-3000V



产品描述：

    采用丽隽独特的PI终端工艺和优化的栅氧工艺制程，拥有更低导通电阻，更低的栅极电荷，良好的开关特性，提高了产品可靠性和稳定性。



应用领域：

    电容器放电单元、轨道交通、高压输变电等领域。




• PTC65N150A

• PTCD5N250

中低压大功率SGT MOSFET 耐压等级：30-250V



产品描述：

       中低压大功率SGT MOS系列采用了先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构，拥有更低的导通内阻和超低的栅极电荷（Qg）。产品采用新型Clip封装工艺进一步提高系统的功率密度与效率。 




应用领域：

       专注于电机驱动、电池管理系统、同步整流、激光电源、光伏水泵、OBC-DC/DC转换器等应用领域。



电池管理+电控组合：

       针对BLDC的需求，PIP提供了性价比极高的产品；Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg），特殊优化了器件的鲁棒性。为您的方案带来高效率、稳定性的同时，大幅节省了成本。

        配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。




• SPTF10R0D7

• SPTQ10R1D3

• SPTQ10R016HA

• SPTQ10R027HA

• SPTB10R034HA

• SPTJ03R1D4LA

• SPTJ03R1D5LGA

• SPTJ03R2D2LA

• SPT04RD7LGA

• 
  

Trench MOSFET 耐压等级：30~80V



产品描述：

        采用先进的制程工艺和结构设计，具有更低的内阻，更优异的抗干扰能力，更小栅电荷，开关速度快，可有效减小系统损耗，提高系统效率。



应用领域：

       电池管理系统、电机驱动、AC/DC同步整流、消费类电子等领域。





• PTD2D5N03N

• PTP2D5N03N

• PTB2D5N03N

• PTJ2D5N03N

• PTD015N03LA

• PTD030N03LA

• PTJ030N03LA

• PTI030N03LA

• PTD04N03LA

• PTJ04N03LA

• PTP013N04HA

• PTP017N04HA

• PTJ017N04HA

• PTP022N04HA
  

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• 丽隽-MOS选型表