推挽电路中死区时间是防止直通短路的关键，确保MOS管关断后才开启，平衡效率与可靠性。

无人机MOS管损坏多由过载、散热不足及设计缺陷引起，需加强电路设计与散热管理。

MOS管驱动电流需考虑开关瞬间的瞬时需求，设计时需计算Qg与Tsw，以确保快速切换并降低损耗。

碳化硅MOSFET通过高耐压、低导通电阻和超快开关速度，显著提升电力电子系统效率，推动电动汽车等应用性能提升。

MOS管体二极管具有高电流承载能力，持续电流可达11A，脉冲电流可达33A，导通电压约1.4V，对电路设计有重要影响。

MOS管选型需关注VDSS、RDS(on)及栅极特性，合理配置以提升效率与可靠性。

文章介绍了MOS管的管脚识别与参数测量方法，强调了万用表和管脚特征的实用技巧，以及关键参数如阈值电压和导通电阻的重要性。

MOS管并联后，耐压值由最低耐压器件决定，易导致过压击穿，需注意均压和电流分配。

MOS管发热主要因PWM开关过程中的过渡损耗，需优化驱动信号以减少功耗。

MOS管发热源于导通电阻和开关损耗，需优化驱动和选择低RDSON器件以减缓温度上升。