贴片MOS管栅极控制电流开关，源漏极构成双向通道，实测差异反映性能与工艺影响。

本文解析了MOS管米勒平台的物理机制及测量方法，强调了示波器观测与数据手册结合的重要性。

P沟道MOS管通过栅源电压差控制导通，适用于高边开关，简化电路设计。

P沟道MOSFET通过栅源电压控制开启，需VGS低于阈值电压，受体效应和温度影响其性能。

同步整流技术通过低Ron MOSFET提升DC/DC变换器效率，导通电阻影响损耗与发热，需兼顾静态与动态性能。

本文分析了MOS管尖峰问题的成因及解决策略，强调驱动信号质量、反向恢复电流和电感平衡的重要性。

本文探讨了并联MOS管烧毁的原因及解决策略，强调电流分配、热耦合、开关损耗和布局设计的影响，并提出选型、散热和均流等解决方案。

MOS管损坏可能表现为短路或断路，取决于失效机制和工况，包括雪崩击穿、热失控、体二极管延迟及寄生振荡等。

MOS管GS和DS击穿主要由电压过高、布局缺陷和保护不足引起，需优化设计与防护措施以提升稳定性。

MOS管、NPN/PNP三极管各有独特工作原理，MOS管通过电压控制电流，三极管通过电流驱动，共同构成电子电路的核心元件。