MOSFET故障可能导致母线电压消失，表现为短路或开路，常见故障包括雪崩失效和驱动问题，需通过检测判断。

MOS管中，源极与漏极功能不同，源极为电子供应端，漏极为电流输出端，不可互换。

MOS管的电压承受能力需注意绝对最大额定值，避免过压损坏，尤其在开关电源中需考虑电压尖峰。

MOS管下拉电阻选10kΩ，平衡功耗与响应，确保电路稳定高效。

MOS管驱动电阻影响开关速度、发热与电磁干扰，需根据芯片参数和应用环境合理选择电阻值。

半桥驱动电路通过MOSFET实现电能精准控制，利用自举电容维持上桥导通，通过PWM调节输出功率，广泛应用于电机调速和电源适配器。

N沟道MOS管的开启电压决定导通阈值，影响功耗、效率及放大性能，是关键参数。

MOS管栅极驱动电流需根据电容大小和应用场景精确选择，影响开关速度与效率。

高压MOSFET通过平面与沟槽结构优化、材料革新及精密制造，实现高效能与高可靠性，推动电力电子领域发展。

MOS管开启电压Vth的精准测量是芯片设计的关键，静态与动态扫描法用于确定Vth，需注意漏电流和干扰。