MOS管的寄生二极管虽被忽视，却在开关、过压保护和电流泄放中发挥关键作用，具有双向导通和过压保护功能，但存在方向性限制。

MOS管的电压参数决定电子流动，栅极控制电流，漏极电压动态变化，高频应用中电压组合实现高效能。

MOSFET分为增强型和耗尽型，前者需栅压激活，后者无栅压也可导通，结构差异影响性能与应用。

本文介绍了四种MOSFET类型及其在数字电路中的应用，涵盖增强型和耗尽型，强调其在逻辑电路中的关键作用。

MOS管烧毁原因包括过载、静电放电、安装不当、电压波动及环境因素，需采取预防措施确保其稳定运行。

MOSFET凭借高效、快速、稳定，成为功率控制领域的核心器件，广泛应用于各类电子设备中。

MOS管失效可表现为短路或开路，需结合具体场景分析，短路引发电流失控，开路导致信号失真，受电压、温度和设计影响。

MOS管击穿后可能形成短路或开路，取决于材料和条件，需注意保护措施与早期检测。

MOS管功率损耗源于导通电阻、开关频率及环境因素，需平衡效率与稳定性。

MOS管与二极管均为整流器件，MOS管通过主动控制实现高效整流，具有低损耗、高效率特点，而二极管则依赖被动导电，效率较低。