东微MOSFET场效应管，高压mos，中低压MOS管，车规mos

东微orientalsemi

东微MOSFET广泛应用于数据中心与算力服务器电源、机器人电源和驱动、工业和通讯电源、车载充电机、直流充电桩、光伏逆变及储能等应用领域

SJ MOSFETs

为适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列，提供高达100A静态电流的规格，最高工作频率达到2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。

OSG65R180GT3F
OSG100R135HSF
OSG100R330FSF
OSG100R330HSF
OSG100R350FSZF
OSG100R350HSZF
OSG100R500FSF
OSG100R800FSF

SGT MOSFETs

东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

OSDM0340N
SFG08R06DF
SFG08R06GF
SFG08R06GNF
SFG08R08BF
SFG08R08DF
SFG08R08GF

SiC MOSFETs

第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，研发了一系列SiC MOSFETs。SiC MOSFETs具有高功率密度、低反向恢复电荷、高开关频率的特性，工作温度高达200°C。碳化硅MOSFET的RDSon温度稳定性卓越、开关速度快且短路鲁棒性高，可满足日益增长的大功率和高电压工业应用需求，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器的优选产品。

OSQ120R020QDT4AF
OSQ120R025H4T2F_NB
OSQ120R025K7T2AF
OSQ120R025K7T2F
OSQ120R025K9T2AF

Trench MOSFETs

Trench-MOSFETs

沟槽Trench MOSFET：性能可靠，值得信赖。通过大量的开发，我们持续不断地利用先进的小信号MOS和功率MOS解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性，让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们的领先技术确保提供最高的可靠性和性能，而先进的封装则可以增强电阻和热性能，同时缩小尺寸，降低成本。

2N7002K
2N7002KDW
2N7002KT
2N7002KW
BSS138K
BSS138KW
BSS84K

GaN HEMT

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）正日益成为主流市场的选择。针对各种高电压和低电压应用场景，GaN HEMT具备最快的转换/开关能力（最高dv/dt与di/dt）和最优异的能效表现。此外，东微半导体自研的GaN HEMT通过新颖的设计，降低导通损耗和开关损耗，进一步提升了功率密度。

OSNE65R030TD1
OSNE65R065TD1

IGBTs

东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1700V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、OBC、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。

OSC50N65KF
OSC60N65HF
OSC80N65HF
OSC90N65HF
OST100N120H5EM2F
OST100N120H5SM2F
OST100N120H5UM2F

Power Modules

先进的电源模块，包括IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块。IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用，额定电压可选40V、60V、80V和650V，采用超级结技术和感应电阻。除了6-pack、全桥和半桥拓扑结构外，还提供图腾柱PFC拓扑结构。Si/SiC混合模块包含IGBT、硅二极管和SiC二极管，适用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源的DC-AC级。