MOS管过压损坏导致性能退化、热点形成及系统故障，表现为参数异常与宏观异常，需警惕隐性危机。

文章总结：MOS栅极驱动芯片发热问题复杂，涉及能量转换、热传导与动态调控，需多层级散热与智能温控优化。

MOS管击穿多因静电、电压尖峰、结构缺陷和热失控，需加强防护与选型裕量。

三相全桥MOSFET驱动电路通过精密的开关控制，实现高效能、高稳定性的能量转换，兼顾安全与效率。

MOC3021实现120V可控硅驱动，具有光耦隔离、精准控制和安全防护功能，应用于工业与智能家居。

推挽电路通过MOS管互补驱动，实现高效能量转换与电压调节，兼具高效率、低损耗和强驱动能力。

本文详解MOS管串联与并联设计原理及绘图技巧，强调电流路径、均流控制及参数选择的重要性。

MOS管防反接电路通过低压降、高效率实现电源保护，双MOS管协同提升可靠性，适用于大电流场景。

同步整流技术虽高效，但空载下MOSFET易失效，导致效率下降、温度过高及器件老化，需优化控制芯片与电路设计。

MOS管凭借电压控制特性，广泛应用于开关电路，具备高效低损耗优势，适用于电源管理、电机驱动等场景，通过合理选型与设计实现精准控制。