中低压MOS管N管P管40V

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  • TM60P03D ,-30V,-60A,8mΩ@-10v P沟道场效应管
  • TMC(台懋)TM60P03D ,-30V,-60A,8mΩ@-10v P沟道场效应管(MOSFET)低导通电阻

TM60P03D

产品品牌 Brand： TMC(台懋)

产品型号 Part No.： TM60P03D

产品类型 Channel： P-MOS

漏源电压 Vds(V)： -30V

连续漏极电流 ID(A)： -60A

应用范围： 负载开关\脉宽调制（PWM）

资料下载：

【摘要】TMC(台懋)TM60P03D ,-30V,-60A,8mΩ@-10v P沟道MOS

型号：TM60P03D
类型：P-MOS
VDS(V)：-30V
VGS(V)：±20V
Vth(V)：
RDS(on)VGS=10V：8mΩ
RDS(on)VGS=4.5V：13mΩ
ID(A)：-60A
EAS(mJ)：80mj
Ciss(pF)：2203 pF
Qg(nC)：30nC
Package：TO-252-3L

商品概述：

TMC(台懋)TM60P03D ,-30V,-60A,8mΩ@-10v P沟道场效应管(mosfet)低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤

TMC(台懋)TM60P03D P沟道MOS参数说明

TM60P03D商品特性：

（1）漏源电压VDS = -30V

（2）漏极电流ID = -60A

（3）当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) = 8 mΩ(典型值)

（4）100%进行了非钳位感性负载开关测试

（5）100%进行了栅极电阻测试

（6）绿色环保产品

TMC(台懋)TM60P03D P沟道MOS详细参数

应用领域：

（1）负载开关

（2）脉宽调制（PWM）


封装：TO-252-3L

本文标签： 30V 沟道 效应
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编辑：国产MOS管厂家
时间：2026-07-03
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