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  • 30V/100A N- Channel MOS PTD10HN03B HTsemi/金誉
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30V/100A MOS PTD10HN03B

产品品牌 Brand： HTsemi/金誉

产品型号 Part No.： PTD10HN03B

产品类型 Channel： N-MOS

漏源电压 Vds(V)： 30V

连续漏极电流 ID(A)： 100A

应用范围： 负载开关/移动电源/无刷电机

资料下载：

【摘要】30V/100A MOS PTD10HN03B以其均衡而优秀的电气特性，为工程师在面对高效率、高功率密度设计挑战时提供了一个强有力的解决方案。

型号：PTD10HN03B
类型：N-MOS
VDS(V)：30V
VGS(V)：±20V
Vth(V)：
RDS(on)VGS=10V：2.9mΩ
RDS(on)VGS=4.5V：4.6mΩ
ID(A)：100A
EAS(mJ)：184mj
Ciss(pF)：2930pF
Qg(nC)：55nC
Package：TO-252

       PTD10HN03B，这是一款30V耐压、100A额定电流的N沟道功率mosfet。30V/100A mos PTD10HN03B以其均衡而优秀的电气特性，为工程师在面对高效率、高功率密度设计挑战时提供了一个强有力的解决方案。

30V/100A MOS PTD10HN03B主要参数

一、30V/100A MOS PTD10HN03B特性：

（1）低导通电阻和低传导损耗

（2）100%雪崩测试

30V/100A MOS PTD10HN03B

二、30V/100A MOS PTD10HN03B应用领域：

（1）高压侧负载开关

（2）蓄电池开关

（3）针对以下电源管理应用进行了优化:

     便携式产品，如航空建模、移动电源、无刷电机，主板其他ldx3


30V/100A MOS PTD10HN03B详细参数说明

本文标签： 30V MOS
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编辑：国产MOS管厂家
时间：2025-12-27
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