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- 无线充电发射模块（桌面式）低压MOS管在1V至40V左右。
- 低压MOS管则适用于那些工作电压较低的场景，如移动设备、低功耗电路和数据处理应用。低压MOS管一股以贴片式为主
- 高压MOS管的电压范围在400V至1000V之间。
- 高压MOS管常用于那些需要高电压环境下具备低导通电阻和高耐压能力的电路,例如电源和电能控制器。
- 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料，具有显著特点和优势，在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。
- 碳化硅（SiC）SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。
走进 · 诺芯盛科技ABOUT US
公司简介/ Company profile
深圳市诺芯盛科技有限公司成立于2022年3月1日，主营无线充电方案设计及模块PCBA制造；代理分销国产中低压MOS管、高压MOS管、第三代半导体GaN、SiC等产品；品牌：安森德ASDsemi、APM等国产MOS系列。
公司产品主要面向消费类、电子类客户：智能数码、家用电器、电源、充电器产品、照明产品、保温系列产品。诺芯盛科技一贯坚持“以诚感人、以质取人、以信待人”的经营方针，结合市场变化和客户要求，致力于同客户建立长期的合作伙伴关系，在售后服务等完善服务，赢得了客户的广泛好评！
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开关电源mos管测量好坏
使用碳化硅芯片作为主要的功率器件MOSFET之外，还有许多其他的产品可以应用于碳化硅芯片。
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机器狗关节电机控制mos
本文介绍了MOS管开关电路的类型和构成，包括N沟道和P沟道两种类型，以及互补金属氧化物半导体结构。此外，文章还介绍了四个MO...
常见问答/ FAQmore+
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MOS管占空比不能超过50%
MOS管的占空比选择并非简单的“是”或“否”，而是需要综合考虑导通与截止损耗、应用场景和系统稳定性等多维度。在实际工程中，通常通过热仿真和损耗计算确定最佳占空比范围。开关频率与占空比存在隐性耦合关系，
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mos管gs之间加电容的作用，等你揭晓！
在现代电子电路中，MOSFET的开关速度和稳定性对电路性能至关重要。为了优化MOSFET的性能，设计者常在其栅极和源极之间加入电容元件。本文探讨了电容元件在防止误导通、提高稳定性、保护栅源极间免受静电
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mos管的应用及寄生二极管的相关问题
本文探讨了MOS管的基本应用、寄生二极管的成因与作用以及方向判断，为电路设计和优化提供参考。MOS管因其高效、低功耗、优良的开关特性，广泛应用于放大器、开关、模拟开关和电源管理等领域。
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mos管输出电容对电压影响
MOS管输出电容影响电压变化，通过充放电机制影响开关性能，同时受米勒效应和静态漂移影响。
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n沟道增强型mos管的特性曲线
N沟道增强型MOS管的工作原理主要依赖于输出特性曲线和转移特性曲线，它们分别描述了在不同工作区域的漏极电流与栅极-源极电压的关系。N沟道增强型MOS管的特性曲线主要包括可变电阻区、饱和区和截止区。
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mos管经常烧坏的原因
金属氧化物半导体场效应管（MOS管）是电子电路的重要组成部分，但也容易遭受烧毁。主要原因包括静电放电、过压与过流、温度过高和错误的安装与接线。要避免MOS管烧毁，需要选择合适的型号、考虑工作环境的温度
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mos管压降和电流换算关系究竟如何？
本文将深入探讨MOS管压降与电流之间的精确换算关系，以帮助读者更好地理解这一重要概念。
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