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- 无线充电发射模块（桌面式）低压MOS管在1V至40V左右。
- 低压MOS管则适用于那些工作电压较低的场景，如移动设备、低功耗电路和数据处理应用。低压MOS管一股以贴片式为主
- 高压MOS管的电压范围在400V至1000V之间。
- 高压MOS管常用于那些需要高电压环境下具备低导通电阻和高耐压能力的电路,例如电源和电能控制器。
- 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料，具有显著特点和优势，在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。
- 碳化硅（SiC）SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。
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公司简介/ Company profile
深圳市诺芯盛科技有限公司成立于2022年3月1日，主营无线充电方案设计及模块PCBA制造；代理分销国产中低压MOS管、高压MOS管、第三代半导体GaN、SiC等产品；品牌：安森德ASDsemi、APM等国产MOS系列。
公司产品主要面向消费类、电子类客户：智能数码、家用电器、电源、充电器产品、照明产品、保温系列产品。诺芯盛科技一贯坚持“以诚感人、以质取人、以信待人”的经营方针，结合市场变化和客户要求，致力于同客户建立长期的合作伙伴关系，在售后服务等完善服务，赢得了客户的广泛好评！
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mos管开关时电压电流波形的问题探讨
本文介绍了最简单MOS放大电路的奥秘，包括MOS管的工作原理、最简单的共源极放大电路以及偏置电路和信号放大。最后，本文探讨了...
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MOS驱动芯片驱动能力不足
全桥驱动电路由4个NMOS管组成，工作原理包括将直流电转换为交流电，广泛应用于电机控制、逆变电源等领域。其中，下桥臂的两个N...
常见问答/ FAQmore+
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增强型n沟道mos管符号和电极名称
本文介绍了增强型n沟道MOS管的基本结构与工作原理，包括源极、漏极和栅极，以及栅极电压的控制方式。增强型n沟道MOS管在模拟和数字电路中广泛应用，具有优良的开关特性，但需考虑开启电压、导通电阻等因素。
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n沟道增强型mos管导通的条件
n沟道增强型MOS管导通的关键因素包括栅极电压和漏极电压。栅极电压决定MOS管的导通与否，而漏极电压则在导通过程中起协同作用。衬底偏置对导通特性也有影响，一般情况下，偏置的数值应适当，过高或过低都可能
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mos管漏电流产生的原因
随着5nm工艺节点的出现，手机芯片的亚阈值导电、栅氧化层隧穿和PN结反偏漏电等问题愈发严重。半导体行业面临着巨大的挑战，尤其是如何在提高性能和降低功耗之间找到平衡。
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sic mos管的主要参数
本文介绍了SiC MOSFET的关键参数，包括导通电阻、阈值电压、开关速度、击穿电压和热阻。SiC MOSFET因其优异的导通性能和低热阻，逐渐成为高功率、高温和高频应用的首选。了解这些参数有助于工程
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p沟道耗尽型mos管的衬底是
衬底是MOS管的关键支撑基板，主要由N型半导体材料制成。选择合适的衬底材料，如N型硅，可以控制阈值电压、防止寄生效应和形成PN结隔离，从而影响器件的工作特性和性能。
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mos管工作原理及详解场效应管
MOS管是一种具有导电沟道的场效应晶体管，工作原理基于电场效应，可分为截止区、线性区和饱和区。不同类型的MOS管具有不同的工作特性。
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开关管是mos管还是三极管
MOS管和三极管是电子技术中的两种重要器件，它们在功能和应用上有着显著的差异。MOS管主要通过电压控制元件实现快速开关，而三极管则主要通过电流控制元件实现信号放大。在控制方式上，MOS管不需要持续的电
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