发布时间:2025-01-27编辑:国产MOS管厂家浏览:0次
在电子工程领域,金属氧化物半导体场效应晶体管,简称MOS管或场效应管,是一种极为重要的半导体器件。它广泛应用于模拟电路和数字电路中,因其独特的开关速度、低功耗、以及高输入阻抗而受到工程师的青睐。掌握mos管的管脚定义及功能对于电路设计至关重要。下面我将通过详细阐述常见mos管的型号及其管脚布局,帮助用户更好地理解和应用这些器件。
2N7000系列
2N7000:这是一款常见的N沟道mosfet,封装为TO-92。其管脚分别为Drain(漏极)、Gate(栅极)和Source(源极)。该型号适用于60V电压和0.115A电流的应用场合。
2N7002:这款同样是N沟道MOSFET,但封装为SOT-23,适用于60V和0.2A的电流。它的管脚布局与2N7000相同。
IRF5系列
IRF510A:这是一款TO-220封装的N沟道MOSFET,额定电压为100V,电流为5.6A。其管脚顺序是Drain、Gate和Source。
IRF520A:也是TO-220封装,额定电压100V,电流为9.2A。管脚布局与IRF510A相同。
IRF530A:同样为TO-220封装,额定电压100V,电流为14A。管脚顺序依然是Drain、Gate和Source。
IRF6系列
IRF610A:此款N沟道MOSFET采用TO-220封装,额定电压为200V,电流为3.3A。管脚顺序保持Drain、Gate和Source不变。
IRF620A:TO-220封装,额定电压200V,电流为5A,管脚布局相同。
IRF630A:TO-220封装,额定电压200V,电流为9A,管脚顺序一致。
IRF634A系列
IRF634A:这是一款TO-220封装的N沟道MOSFET,额定电压为250V,电流为8.1A,其管脚顺序依旧为Drain、Gate和Source。
IRF640A:TO-220封装,额定电压200V,电流为18A,管脚布局与上述型号一致。
IRF644A:TO-220封装,额定电压250V,电流为14A,管脚顺序保持Drain、Gate和Source。
IRF650A系列
IRF650A:此款MOSFET采用TO-220封装,额定电压为200V,电流为28A,其管脚顺序依然为Drain、Gate和Source。
IRF654A:TO-220封装,额定电压250V,电流为21A,管脚布局相同。
IRF65Z34A:TO-220封装,额定电压250V,电流为34A,管脚排列保持不变。
IRF7系列
IRF720A:这款N沟道MOSFET采用TO-220封装,额定电压为400V,电流为3.3A。其管脚顺序是Drain、Gate和Source。
IRF730A:TO-220封装,额定电压400V,电流为5.5A,管脚布局一致。
IRF740A:TO-220封装,额定电压400V,电流为10A,管脚顺序相同。
IRF8系列
IRF820A:此款N沟道MOSFET采用TO-220封装,额定电压为500V,电流为2.5A。其管脚顺序是Drain、Gate和Source。
IRF830A:TO-220封装,额定电压500V,电流为4.5A,管脚布局相同。
IRF840A:TO-220封装,额定电压500V,电流为8A,管脚顺序保持一致。
IRF9系列
IRF9520:这是一款TO-220封装的P沟道MOSFET,额定电压为100V,电流为6A。其管脚顺序为Source、Gate和Drain。
IRF9540:TO-220封装,额定电压100V,电流为23A,管脚布局相同。
IRF9610:TO-220封装,额定电压200V,电流为1.8A,管脚顺序为Source、Gate和Drain。
IRFS系列
IRFS540A:此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装,额定电压为100V,电流为17A。其管脚顺序依旧是Drain、Gate和Source。
IRFS630A:TO-220F封装,额定电压200V,电流为6.5A,管脚布局相同。
IRFS634A:TO-220F封装,额定电压250V,电流为5.8A,管脚顺序保持Drain、Gate和Source。
IRLS系列
IRLS530A:此款MOSFET采用TO-220F封装,额定电压为100V,电流为10.7A。其管脚顺序为Drain、Gate和Source。
IRLSZ14A:TO-220F封装,额定电压60V,电流为8A,管脚布局相同。
IRLZ44A:TO-220F封装,额定电压60V,电流为50A,管脚顺序一致。
通过对以上各型号MOS管管脚定义及功能的详细介绍,希望读者能够更加深入地理解并熟练运用这些知识。在实际设计和维修过程中,准确识别和应用不同型号的MOS管将显著提升工作效率和电路性能。
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