本文探讨了使用MOS管代替二极管防止电流倒灌，并介绍了其基本原理和实现方法。通过Oring电路设计，MOS管能实现零电压降和高效率的防倒灌电路。

IGBT和MOS管各有优劣，但IGBT在高压、大电流应用中表现优秀，且导通损耗低，适合高压、大电流应用场景。MOS管在低压、高频电路中应用广泛，开关速度快，但导通损耗高，效率低。

三极管和MOS管在结构、工作原理、特性上有显著差异，前者为电流控制，后者为电压控制，前者耐压高、功耗大，后者低功耗、适合高频应用。