MOS管是通过控制漏极-源极电压实现电流控制的半导体器件，但过压可能导致雪崩击穿现象，漏极电流过大可能导致器件过热损坏。

本文探讨了MOS管雪崩击穿的定义与机制，主要分为电场增强、碰撞电离、电流激增和热效应四部分。过压和过流都可能导致雪崩击穿，但过压更容易引发。因此，对于MOS管设计者来说，确保电路设计和安全工作区的设置

本文深入探讨过压保护MOS电路的工作原理、设计要点及实际应用，以P-MOS管为核心，通过电阻分压网络控制MOS管的栅极电压，当输入电压超过设定阈值时，电路设计会触发保护机制。稳压二极管的选型、电阻分压

本文主要介绍了MOS管过压保护的原理、实现方式及其重要性。过压保护是保证电路安全的重要手段，主要通过分压原理与Vgs控制实现。稳压二极管在过压保护中起关键作用，通过钳位MOS管栅极电压防止过压损坏。

NMOS管过压保护电路通过动态监测与快速响应，确保电子设备安全运行，兼具高效传导与智能保险功能。

MOS管过压损坏导致性能退化、热点形成及系统故障，表现为参数异常与宏观异常，需警惕隐性危机。