国产品牌高压MOS

网站首页 > TAG标签 >  器件

T
ag

器件

联系诺芯盛科技
联系方式: 林生:185-2081-8530

Q Q:88650341

邮箱:lin@icgan.com

(器件)  标签相关文章汇总列表页(Tag)

半导体功率器件场效应管和mos管的工作原理有哪些?

在电子元件的世界里,场效应管(Field-Effect Transistor,FET)和MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

mos是主动还是被动元器件,你知道吗?

在现代电子设备中,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种至关重要的元件。MOSFET被广泛应用于模拟和数字电路中,其功能涵盖了从简单的开关到复杂的放大任务。本文将深入探讨MOSFET的特性

sic mosfet器件国内排名解析

2023年国内主要SiC MOSFET厂商在新能源汽车市场取得突破,其中瞻芯电子凭借自主开发的SiC技术及车规级产品线,成功进入市场并获得认可。

mosfet功率半导体器件发展趋势

随着新能源汽车、5G通信基站、工业自动化、智能家居、消费电子等新兴产业的快速发展,MOSFET等功率半导体器件的需求呈现强劲增长态势。技术创新和产业国产化加速推动MOSFET性能提升,满足新兴领域需求

mosfet功率半导体器件发展前景

本文探讨了金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为功率半导体器件的发展前景,分析了当前市场环境、技术趋势和应用领域的扩展。随着新材料和技术的突破,全球功率半导体市场规模有望持续增长。

mosfet、igbt等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售

新洁能公司在功率半导体领域有深厚的研发实力,特别是MOSFET和IGBT,已连续多年被评为“中国半导体功率器件十强企业”。公司注重技术创新,产品布局齐全,尤其在沟槽型功率MOSFET和屏蔽栅功率MOS

mos管的沟道长度调制效应对器件的影响

本文探讨了沟道长度调制效应及其对MOS管的影响。当漏源电压增加时,有效沟道长度缩短,导致沟道电阻降低,从而影响到饱和电流增加。输出电阻和阈值电压的变化也与沟道长度调制效应相关。

功率器件mos沟道宽度是多少

MOSFET沟道宽度对器件性能和应用至关重要,影响导通电阻、电流承载能力和热稳定性。选择时需考虑应用需求,避免过高导通电阻导致功耗过高或过低,同时考虑开关速度和热管理。

第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE

ASDsemi安森德650V第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE

首页 下载中心 中低压MOS管产品 高压MOS管产品 第三代半导体GaN 第三代半导体SiC 公司简介 在线留言 网站地图
  • 服务热线:185-2081-8530(林生);QQ:88650341
  • E-Mail:lin@icgan.com
  • 公司地址:深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007
  • 诺芯盛科技供应各类功率器件,中低压MOS管、高压MOS管,第三代半导体GaN SiC等产品
  • Powered by PDMCU
扫码添加微信号码: 二维码扫一扫
[TOP]
在线客服

在线咨询

在线咨询

在线咨询

18520818530
二维码

官方微信扫一扫