发布时间:2024-11-21编辑:pdmos浏览:0次
自成立以来,新洁能始终注重技术研发,不断推出具有自主知识产权的高性能产品。公司在沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET以及IGBT等产品的设计研发方面拥有多项核心技术。目前,公司的产品系列齐全,包括600V-1350V的沟槽型场截止IGBT、500V-900V的第三代超结功率MOSFET、30V-300V的屏蔽栅功率MOSFET、12V-250V的沟槽型功率MOSFET等,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等领域。
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