MOS管雪崩能量是指在特定条件下，MOS管内部的电场强度达到一定阈值时，引发的物理过程，产生雪崩电流的现象。其特点包括能量集中、瞬间爆发力强等，可以被巧妙地利用，实现过压保护功能。

MOS管雪崩值是其可靠性的核心参数，决定了其能承受的极端电应力。在真实的电路环境中，其额定值和实际值可能存在很大差距。当MOS管关断瞬间、电路存在感性负载或遭遇意外的电压尖峰时，可能导致雪崩击穿，进而

MOSFET雪崩电压及EAS参数影响器件高压耐受能力，温度系数和失效模式显著，测量挑战大。