发布时间:2024-12-20编辑:国产MOS管厂家浏览:0次
在现代电子设备和电路设计中,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOS管)扮演着至关重要的角色。不同于双极型晶体管(BJT)依赖电流控制电流的特性,mos管作为一种电压控制型器件,通过栅极上的电压来精确调控漏极电流,这一特性使得它在数字信号处理、模拟电路放大、开关电源等领域应用广泛且高效能。
mos管的核心在于其“绝缘栅”结构,通常由四个引脚构成:栅极(Gate)、源极(Source)、漏极(Drain)和衬底(Body)。与传统晶体管相比,MOS管最显著的特点是其栅极与源极、漏极之间通过一层绝缘的二氧化硅分隔,形成了一个电容结构。当在栅极施加正电压时,该电压会在绝缘层下方形成电场,吸引衬底中的电子或排斥空穴,从而在衬底表面形成导电沟道,使源极与漏极之间得以导通。反之,当栅极电压为零或负值时,导电沟道消失,MOS管截止,实现电流的开关控制。
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