无线充线圈驱动MOS管N+P

您的位置:网站首页 > 新闻中心 > 行业新闻

N
ews

行业新闻

联系诺芯盛科技
联系方式: 林生:185-2081-8530

Q Q:88650341

邮箱:lin@icgan.com

MOS管业内新闻资讯_第6页

MOS管防反接电路设计指南:原理分析与实战技巧
mos管防反接电路分析

本文介绍了MOS管防反接电路在电源保护领域的优点,包括近乎零损耗的特性以及传统防反接方案的性能瓶颈。文章还介绍了MOS管防反接的核心原理,包括电源正接时导通和电源反接时截止。最后,文章对如何选择合适的

MOS管:电动车控制器的核心利器
mos管在电动车控制器中的用途

MOS管是电动车控制器中的关键元件,负责电能转换和控制。它具有优秀的电流承载能力,能够承受较大电流通过。同时,MOS管具有精准的控制特性,能实现灵活操控。MOS管的可靠性和稳定性使其能在复杂环境中适应

MOS管放大电路实验报告:从原理到实操的完整指南
mos管放大电路实验报告

本文通过实验解析了MOS管放大电路的工作机理,并揭示了放大电路设计的精妙之处。电路搭建包括静态工作点配置、负载匹配设计、旁路电容选择和信号耦合方案。实测数据显示,当输入信号大于200mVpp时,放大电

MOS管:电子世界的全能选手与关键角色
mos管用途一览表

MOS管在电子世界的微观舞台上,广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC变换、储能变流、信号处理等多个领域。其低导通电阻和短开关时间特性,能有效减少损耗和提高转换效率,成为“精准调配师”、“阀门管理员

MOS管增强型与耗尽型的差异解析:从结构到应用的全面对比
mos管增强型耗尽型产生原因分析

增强型MOS管和耗尽型MOS管在结构上有显著区别,增强型需在特定电压下开启导电通道,耗尽型则无需。工作原理上,增强型通过给门施加开启力量导电,耗尽型则通过电场排斥导致通道变窄。掺杂工艺对MOS管类型有

场效应管在功放电路中的核心应用与选型指南
功放用场效应管大全

本文解析了场效应管在功放领域的应用,指出场效应管具有超低失真、热稳定性突破和驱动电路简化等优势,成为高端设备首选。功放偏爱场效应管,因为其低噪声、高输入阻抗,特别适合处理突发的瞬态大电流。

MOS管驱动原理与损耗控制的深度解析
mos管驱动和损耗

MOS管是电子技术中的重要器件,其工作原理基于电场效应,能为栅极提供准确、稳定的电压信号。损耗包括开关损耗和导通损耗,分别与开关速度、栅极电阻及寄生参数有关。在驱动过程中,MOS管的损耗会影响电路性能

碳化硅MOS管驱动芯片:电力电子领域的核心动力
碳化硅mos管驱动芯片

碳化硅MOS管与驱动芯片的结合,被誉为电力电子领域的“黄金搭档”。碳化硅MOS管的高耐压、耐高温、高频特性使其在极端环境下仍能稳定工作,驱动芯片则负责控制碳化硅MOS管的工作状态。

碳化硅MOSFET制造全解析:从晶体生长到封装测试的技术革命
碳化硅mos制造流程

碳化硅MOSFET凭借高耐压、高频特性和耐高温性能,在新能源汽车、光伏逆变器等领域引发技术革命。碳化硅衬底制备、氧化层制备和电极制造是关键步骤,其中氧化层制备尤为重要,为器件寿命提供防护。

MOS管双雄:增强型与耗尽型的特性差异与应用场景解析
mos管中增强型和耗尽型的差别

增强型MOS管和耗尽型MOS管在导电沟道的天生差异和控制方式上具有显著区别。增强型MOS管要求栅极电压为正,且阈值电压特定;而耗尽型MOS管则可以为正或负,余地较大。在电路控制上,增强型MOS管严谨而

首页 下载中心 中低压MOS管产品 高压MOS管产品 第三代半导体GaN 第三代半导体SiC 公司简介 在线留言 网站地图 诺芯盛科技-产品目录下载(PDF)
  • 服务热线:185-2081-8530(林生);QQ:88650341
  • E-Mail:lin@icgan.com
  • 公司地址:深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007
  • 诺芯盛科技供应各类功率器件,中低压MOS管、高压MOS管,第三代半导体GaN SiC等产品
  • Powered by PDMCU
扫码添加MOS管业内新闻资讯微信号码: 二维码扫一扫
[TOP]
在线客服

在线咨询

在线咨询

在线咨询

18520818530
二维码

官方微信扫一扫