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安森德ASDsemi低成本30V N+P无线充MOS管AST120C03D6M，采用PDFN3*3-8封装，散热性能好，低内阻N+P通道增强型场效应管

WSD3044DN33是一款高性能沟槽双N沟道MOSFET，符合RoHS和绿色要求，具有极高的单元密度和超低栅极电荷，可实现100%EA，广泛应用于POL应用程序、MB/VGA/Vcore、负载开关和

ASDsemi安森德ASDM30N120KQ 30V低压 N-MOS 封装 TO-252-2L

vergiga/威兆 P沟道先进功率MOSFET VS3506AD -30V/-80A

30V/100A MOS PTD10HN03B以其均衡而优秀的电气特性，为工程师在面对高效率、高功率密度设计挑战时提供了一个强有力的解决方案。

WSD3044DN33微硕mos管30V Dual N-Channel 数据手册规格书下载