在选择低压大电流MOSFET时，需考虑额定电压、最大漏极电流、导通电阻和栅极电荷等关键参数，同时需要考虑封装形式、温度范围等因素。要根据实际需求选择合适型号，以实现高效率、高性能的电子设计。

本文主要探讨了高压MOS和低压MOS的区别和应用。高压MOS用于高电压电路，设计上更注重精细化和微型化；而低压MOS用于低电压电路，优化目标是降低功耗和提高性能。

高压MOS管和低压MOS管是电子技术中的两种重要元件，各有其应用场景和特点。高压MOS管适用于高电压环境和大电流驱动，而低压MOS管适用于低电压应用和小电流驱动。

低压MOS管是电子设备中的关键组件，IRF系列、IPP系列和N沟道增强型是常见的类型。IRF系列性能卓越，广泛应用；IPP系列广泛应用于电源管理和功率开关；N沟道增强型类似阀门，可控制电流；P沟道增强

低压MOS管堆叠技术突破高压耐受瓶颈，提升能效与成本效益，实现高效、低功耗设计，推动集成电路向更紧凑、更智能方向发展。

低压大功率MOS管在电子设备中高效控制电流，广泛应用于消费电子、工业控制、车载系统和电源转换，具有低阈值、高功率特性，是现代电子设备的核心元件。

应用在无线充发射端双N耐压30V低压MOS管ASDM3010S

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ASDsemi安森德ASDM30N120KQ 30V低压 N-MOS 封装 TO-252-2L

DON70N04是一颗N沟道MOSFET，40V 70A低阻值RDS（ON）8.5mΩ@VGS=10V