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耗尽型
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P沟道耗尽型MOSFET结构简单,工作原理独特,应用广泛。在开关电源、放大器设计、电流镜电路等场合有广泛应用。
MOSFET分为增强型和耗尽型,前者需栅压开启导电,后者天然导通,具有不同结构和应用特点。
诺芯盛备案号:粤ICP备2022029173号-4 热销型号:ASDM30C16E-R ASDM3010S-R APM20G02LI AGM311MN
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