P沟道耗尽型MOSFET结构简单，工作原理独特，应用广泛。在开关电源、放大器设计、电流镜电路等场合有广泛应用。

MOSFET分为增强型和耗尽型，前者需栅压开启导电，后者天然导通，具有不同结构和应用特点。

MOSFET分为增强型和耗尽型，前者需栅压激活，后者无栅压也可导通，结构差异影响性能与应用。

MOS管分为增强型和耗尽型，前者需栅压开启，后者默认导通，各有特色，适用于不同场景。

N沟道耗尽型MOS管在制造中通过离子注入，在“出厂”即导通，是芯片制造中独特的“天生导体”技术。