MOS管击穿后可能形成短路或开路，取决于材料和条件，需注意保护措施与早期检测。

文章介绍了MOS管在电源设计中的浪涌抑制技术，涵盖被动与有源方案，强调其在保护设备、提升效率方面的应用。

MOS管失效可表现为短路或开路，需结合具体场景分析，短路引发电流失控，开路导致信号失真，受电压、温度和设计影响。

本文分析MOS管高频工作下的EMC问题，提出选型优化与驱动电路重构等解决方案。

MOS管凭借电压控制特性，广泛应用于开关电路，具备高效低损耗优势，适用于电源管理、电机驱动等场景，通过合理选型与设计实现精准控制。

MOS管烧毁原因包括过载、静电放电、安装不当、电压波动及环境因素，需采取预防措施确保其稳定运行。

应用在无线充发射端双N耐压30V低压MOS管ASDM3010S

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ASDsemi安森德650V第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE

ASCM30N120XD是一款氮化硅高压MOS管，耐压高达1200V