低压MOS管堆叠技术突破高压耐受瓶颈，提升能效与成本效益，实现高效、低功耗设计，推动集成电路向更紧凑、更智能方向发展。

本文探讨了并联MOS管烧毁的原因及解决策略，强调电流分配、热耦合、开关损耗和布局设计的影响，并提出选型、散热和均流等解决方案。

文章介绍N沟道MOS管高端驱动技术，重点阐述电容自举和电荷泵两种方案，强调其在提升栅极电压、实现高效开关应用中的关键作用。

全桥电路利用四MOS管实现电能精准调控，广泛应用于电机驱动，通过合理接法和选型提升性能。

本文分析了MOS管尖峰问题的成因及解决策略，强调驱动信号质量、反向恢复电流和电感平衡的重要性。

同步整流技术通过低Ron MOSFET提升DC/DC变换器效率，导通电阻影响损耗与发热，需兼顾静态与动态性能。

本文详解2000W级MOS管选型，涵盖应用场景、关键参数及主流型号，强调性能与温度管理的重要性。

P沟道MOSFET通过栅源电压控制开启，需VGS低于阈值电压，受体效应和温度影响其性能。

开关电源MOS管炸裂问题涉及失效机理、防护策略及调试技巧，需从电压、电流、寄生参数及驱动信号等多方面综合防护。

P沟道MOS管通过栅源电压差控制导通，适用于高边开关，简化电路设计。