MOS管损坏主要有四种情况：不导通或导通不良、短路和漏电、发热严重以及参数变化。其中，过流和过压是损坏的常见原因，而过压可能导致短路或漏电，过流可能导致MOS管发热严重，参数变化会影响电路的准确性和稳

MOSFET栅极驱动的高频振荡现象主要由寄生参数和驱动回路阻抗不匹配引起，导致电压振铃、虚假导通和EMI问题。有效抑制的方法包括减小寄生电感、提高驱动回路阻抗匹配，以及优化PCB布局。

MOS管驱动电流不足问题主要源于驱动电路设计缺陷，如限流电阻过大，影响瞬态电流，导致导通电阻增大，发热严重。需解决的关键是优化驱动电路设计，合理选择限流电阻。

本文分析MOS管常见故障，包括显示异常、短路与击穿，揭示其原理与成因，帮助技术人员快速定位问题。