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双管正激换mos管后续流管尖峰高的原因

发布时间:2024-12-05编辑:国产MOS管厂家浏览:0

在电力电子设备中,双管正激电路以其高效和可靠的特性被广泛应用于各种电源模块中。然而,这种电路结构在实际操作过程中也暴露出了一些问题,特别是后续流管的尖峰高问题引起了广泛关注。本文将详细解释这一问题的成因以及其对电路性能的影响。

首先,我们需要理解双管正激电路的基本工作原理。在此电路结构中,两个开关管交替导通来控制输出电压。然而,当一个开关管关闭而另一个即将开启时,由于电路中的寄生电感和电容的存在,会在续流阶段产生电流尖峰。尖峰的出现主要与电路中寄生参数的影响有关,尤其是漏感和寄生电容的作用。

寄生电感通常来源于变压器的漏感以及电路板上的布局布线。当MOS管迅速切换状态时,这些寄生电感会导致电流突变(di/dt),进而在电路中产生电压尖峰。此外,mos管自身的寄生电容(如栅极到源极、栅极到漏极的密勒电容)也会在高速开关过程中引起瞬态响应,加剧尖峰的形成。


双管正激换mos管后续流管尖峰高的原因


具体来讲,在mos管从开通状态切换到关闭状态的过程中,由于di/dt很大,会在漏极和源极间产生显著的电压变化,从而在漏感上感应出尖峰电压。同样,MOS管开通瞬间由于dv/dt较大,寄生电容放电导致额外的电流流入,形成电流尖峰。这两个效应共同作用,造成了双管正激电路在续流过程中尖峰电流的产生。

解决或减小这种尖峰问题通常有两种策略:一是通过减缓开关速率来降低dv/dt和di/dt;二是采用适当的RC吸收网络来抑制尖峰电压和电流。例如,增加合适的缓冲电路或者使用具有更低寄生参数的元件都可以有效减少尖峰的大小。

总之,双管正激换MOS管后续流管尖峰高的根本原因是电路设计中的寄生电感和电容在高速开关过程中产生的动态影响。通过对这些因素的了解和相应的电路优化措施,可以有效控制尖峰现象,从而提高电路的稳定性和可靠性。
本文标签: mos管
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