无线充线圈驱动MOS管N+P

当前位置:首页 > 新闻中心 > 应用案例 > mos管驱动电路的布线设计

N
ews

应用案例

联系诺芯盛科技
联系方式: 林生:185-2081-8530

Q Q:88650341

邮箱:lin@icgan.com

应用案例

mos管驱动电路的布线设计

发布时间:2025-02-03编辑:国产MOS管厂家浏览:0

MOS管驱动电路的布线设计是确保电路高效、可靠运行的关键因素之一,它不仅关乎电路的性能,更直接影响到系统的稳定性和使用寿命。在电子电路中,mos管作为开关元件广泛应用,其驱动电路的设计尤为重要。

mos管的驱动电路设计需要考虑到多个方面。由于MOS管的GS之间存在结电容,这会导致在驱动过程中出现电压变化速度的问题。为了在短时间内完成电压的拉高或降低,需要为栅极提供足够的瞬间驱动电流。因此,选择具有较大瞬间输出电流的专用MOSFET驱动芯片如TC4420是一个理想的解决方案。这些芯片不仅能提供所需的电流,还兼容TTL电平输入,使得电路设计更加方便。

mos管驱动电路的布线设计

在实际电路设计中,寄生电感和结电容会组成一个LC振荡电路,如果直接将驱动芯片输出端接到MOS管栅极,会在PWM波的上升沿产生很大的震荡。这种情况不仅会导致MOS管急剧发热,甚至可能引发爆炸。为此,通常在栅极串联一个10欧左右的电阻,以降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减。

为了进一步保护MOS管,建议在GS之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗,防止静电或干扰导致MOS管误导通。同时,并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管,可以吸收瞬间的干扰脉冲。这些措施能够有效减少因外部干扰带来的问题,提高电路的可靠性。

布线设计的紧凑性也是不可忽略的因素。驱动线路的环路面积应尽可能小,以避免电磁干扰的引入。驱动芯片的旁路电容也应尽量靠近芯片的VCC和GND引脚,以减少走线的电感对芯片瞬间输出电流的影响。

MOS管驱动电路的布线设计需要在多个方面进行细致的考量和优化。通过合理选择驱动芯片、适当调整电阻和电容参数以及优化布线设计,可以显著提升电路的性能和稳定性。这些措施不仅能有效减少开关损耗和电磁干扰,还能延长电路的使用寿命。

本文标签: mos管 驱动 电路
分享:
分享到

上一篇:mos管吸收电路的设计

下一篇:没有了

首页 下载中心 中低压MOS管产品 高压MOS管产品 第三代半导体GaN 第三代半导体SiC 公司简介 在线留言 网站地图
  • 服务热线:185-2081-8530(林生);QQ:88650341
  • E-Mail:lin@icgan.com
  • 公司地址:深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007
  • 诺芯盛科技供应各类功率器件,中低压MOS管、高压MOS管,第三代半导体GaN SiC等产品
  • Powered by PDMCU
扫码添加mos管驱动电路的布线设计_应用案例_新闻中心_高压mos管厂家微信号码: 二维码扫一扫
[TOP]
在线客服

在线咨询

在线咨询

在线咨询

18520818530
二维码

官方微信扫一扫