MOS管的Vgs最大耐受电压是保障安全运行的关键参数，合理选择和测试可提升电路稳定性与可靠性。

MOS管驱动电压不足会导致输出电压下降、导通电阻增大，影响电路稳定性与效率。

MOS管过驱动电压影响其导通性能、功耗和稳定性，需合理控制以实现高效运行。

MOSFET雪崩电压及EAS参数影响器件高压耐受能力，温度系数和失效模式显著，测量挑战大。

P沟道MOS管通过栅源电压差控制导通，适用于高边开关，简化电路设计。

MOS管的电压参数决定电子流动，栅极控制电流，漏极电压动态变化，高频应用中电压组合实现高效能。

MOS管输出电容影响电压变化，通过充放电机制影响开关性能，同时受米勒效应和静态漂移影响。

MOS管开启电压Vth的精准测量是芯片设计的关键，静态与动态扫描法用于确定Vth，需注意漏电流和干扰。

N沟道MOS管的开启电压决定导通阈值，影响功耗、效率及放大性能，是关键参数。

MOS管的电压承受能力需注意绝对最大额定值，避免过压损坏，尤其在开关电源中需考虑电压尖峰。