MOS管驱动电压分两层：VGS(th)决定开启，完全导通电压决定低损耗导通，需分层理解。

P型MOS管电流方向为S→D，由空穴载流子主导，电流与载流子方向一致。

二极管接法MOS管在小信号模型中等效为电阻，阻值为1/gm，其直流工作点处于饱和区，小信号特性呈现线性斜率。

隔离MOS驱动芯片的输出能力核心在于栅极驱动能力，需考虑电气隔离、功率密度与动态响应，而非单纯输出功率。

MOSFET开启电压并非固定为15V，需根据耐压等级和实际需求调整，不同耐压MOSFET的栅压门槛不同。

MOS管栅极电压需根据实际负载选择，2V仅开启，10V则导致高损耗和发热。

本文详解MOS管驱动电压选择，按硅、SiC、GaN分述，强调驱动电压需达到完全导通，避免因阈值误判导致损耗和温升问题。