MOS管击穿后可能形成短路或开路，取决于材料和条件，需注意保护措施与早期检测。

MOS管失效可表现为短路或开路，需结合具体场景分析，短路引发电流失控，开路导致信号失真，受电压、温度和设计影响。

MOS管击穿分为短路和断路，短路为主，由电压或静电引起，断路罕见，需极端条件。

MOS管通过栅极电压调控导电沟道，实现电压驱动电流，具有高效能、低损耗特性，广泛应用于电源管理、信号放大等场景。

MOS管并联后，耐压值由最低耐压器件决定，易导致过压击穿，需注意均压和电流分配。

MOS管在高效能转换中平衡耐压与电流，需综合考虑电场控制与电流承载的物理特性。

MOS管是电压控制器件，通过vGS调控iD，共源放大器利用饱和区实现电压放大，增益与负载、偏置相关。

想象一下，当手机在待机模式下静止多日仍能稳定供电，或是电动工具在严寒环境中无需预热即可点火，背后都离不开一个“开关”——MOS管。

有没有想过，零栅压下就能导通的场效应管究竟有什么奥秘？在电压控制型半导体器件家族中，结型场效应管（JFET）以其结构简单、噪声极低、输入阻抗高而备受重视。