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MOSFET与IGBT作为电子技术领域的关键器件，各自领域都有广阔的应用前景。随着市场规模的不断扩大，增长率持续上升。然而，面临器件尺寸缩小、漏电流增加等问题，性能提升受阻。未来，随着技术发展，MOS
IGBT与MOS管各具优势，在功率控制、效率、承载能力等方面各有特点，应用场景各异。
本文对比分析IGBT与MOS管的损耗机制，涵盖静态、动态及栅极驱动损耗，强调其在电力电子中的重要性。
IGBT驱动芯片N532规格书中文版下载，较N531芯片多了一个使能脚，主要应用于电磁炉、LED电源、小家电电源等MCU与IGBT和MOS及继电器之间的一个功率放大推挽作用
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