MOSFET与IGBT作为电子技术领域的关键器件，各自领域都有广阔的应用前景。随着市场规模的不断扩大，增长率持续上升。然而，面临器件尺寸缩小、漏电流增加等问题，性能提升受阻。未来，随着技术发展，MOS

MOSFET是一种通过控制栅极电压调节电流的半导体器件，其放大特性受栅极电压与漏极-源极电压关系影响。驱动电流小，但需要瞬时电流。栅极电容设计重要，可实现快速充放电。

本文主要探讨了MOSFET导通电阻的测试方法，包括传统方法、进阶技巧和创新方案。传统方法简单，但精度受限；进阶技巧消除了接触电阻影响，但需要额外测量；创新方案则利用ATE设备实现自动化，提高了精度。

WSD3044DN33是一款高性能沟槽双N沟道MOSFET，符合RoHS和绿色要求，具有极高的单元密度和超低栅极电荷，可实现100%EA，广泛应用于POL应用程序、MB/VGA/Vcore、负载开关和

VS4802GPHT SGT-MOS管应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统