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PTD10HN03B是一款高性能N沟道MOSFET，具备30V耐压、100A电流能力，低导通电阻与低阈值电压，适用于高效、紧凑的电子设备。
碳化硅MOSFET通过高耐压、低导通电阻和超快开关速度，显著提升电力电子系统效率，推动电动汽车等应用性能提升。
WSD3044DN33是一款高性能沟槽双N沟道MOSFET，符合RoHS和绿色要求，具有极高的单元密度和超低栅极电荷，可实现100%EA，广泛应用于POL应用程序、MB/VGA/Vcore、负载开关和
VS4802GPHT SGT-MOS管应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统
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