MOS管串并联的核心要点包括参数匹配、驱动电路对称性、热耦合设计和布局玄机。在实际应用中，要避免“先到者”独占电流，采取星型布线或独立栅极电阻，以及静态均压和动态协调等方法。在选型时，要核对数据手册的

在MOS管栅极和漏极之间并联电容的设计考量主要关注抑制高频振荡和降低电压变化率，以平滑波形和降低噪声。然而，这种做法会显著增加等效的栅漏电容，加剧米勒效应。同时，过多并联电容可能导致开关损耗增加，甚至

**驱动电阻过大是MOS管应用中的常见问题，需要通过优化设计和合理的PCB布局来解决。关键点是选择合适的驱动器和优化布局。**

本文介绍了驱动 MOS 管的芯片，包括 Texas Instruments（TI）、TI 的 TPS2811、UCC27517DBVR、TPS2812 和ADI 和 MAXIM。

MOS管驱动芯片是电子设备中的关键元器件，其性能直接影响到设备的稳定性和可靠性。MOS管驱动电阻的检测是确保其正常工作的关键步骤，常用的检测方法包括万用表测量法和示波器测量法。

应用在无线充发射端双N耐压30V低压MOS管ASDM3010S

PDFN5*6-8

ASDsemi安森德650V第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE

ASCM30N120XD是一款氮化硅高压MOS管，耐压高达1200V

主要应用于无线充电线圈驱动