MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)是一种常用的半导体器件，用于无线充电器的中低压mos管容易烧坏是什么原因？

N+PMOS方案通过简化驱动电路、提升集成度，有效提升无线充电效率与兼容性。

永源微AP10G02LI凭借低导通电阻和高电流承载能力，推动无线充电技术高效稳定发展。

永源微电子推出多款高效无线充电功率管，优化电能转换与发热控制，适用于多种无线充电场景。

应用在无线充发射端双N耐压30V低压MOS管ASDM3010S

主要应用于无线充电线圈驱动

矽睿siwisemi无线充专用MOS管SWH4608B，低成本20V N+P功率管采用SO23-6L小型封装，节省元器件PCB占用空间

安森德ASDsemi低成本30V N+P无线充MOS管AST120C03D6M，采用PDFN3*3-8封装，散热性能好，低内阻N+P通道增强型场效应管

AP10G02LI是一款高性能MOSFET，适用于无线充电，具备低导通电阻、高电流承载能力，适合高效能电源管理应用。

推荐一款适用于无线充线圈驱动MOS管PST20G04，耐压20V，N+P双结mosfet