随着5nm工艺节点的出现，手机芯片的亚阈值导电、栅氧化层隧穿和PN结反偏漏电等问题愈发严重。半导体行业面临着巨大的挑战，尤其是如何在提高性能和降低功耗之间找到平衡。

本文探讨了MOS管击穿故障的主要诱因、优化策略，并指出过电流冲击和驱动信号异常是被忽视的“软故障”源头。通过提高电压尖峰和过电流冲击的防护能力，可提升设备可靠性。

MOS管击穿的病因错综复杂，包括过压、过流、高温、静电等多个层面。为确保MOS管在安全的电压范围内工作，可安装过压保护装置或过流保护芯片。高温和热积累对MOS管同样构成威胁，需要优化散热设计。

本文介绍了MOS管损坏的五大主要原因：雪崩破坏、器件发热损坏和内置二极管破坏。雪崩破坏是电压过载的致命一击；器件发热损坏是长时间过载或散热设计不当造成的；内置二极管破坏是反向电压的隐形威胁。

MOS管振荡问题主要源于其寄生电感和电容形成的谐振电路。当驱动回路的阻尼不足时，寄生电感和电容会形成LC振荡回路，导致栅极电压反复波动。调整栅极电阻和优化寄生参数是驯服振荡的有效策略。

开关电源MOS管击穿的原因主要有电路设计不合理、电压与电流的冲击、高温环境和静电放电。解决策略包括电路设计精确匹配、采取RCD吸收、变压器工艺改进、散热优化和静电防护。

电机控制器中MOS管烧坏主要由过流、过压和静电放电引起，需加强保护机制以防止设备损坏。

MOS管击穿主要由过电压、电流冲击和高温引起，需加强防护和散热以确保稳定运行。

MOS管易受静电、过压、过流及高温影响，需采取防护措施以防止击穿。

MOS管失效机理及防护策略：电压过载、电流冲击、静电放电、热失控、电磁干扰等均需针对性防护，保障其稳定运行。