无线充线圈驱动MOS管N+P

当前位置:首页 > 新闻中心 > MOS-FAQ > mos管振荡原因

N
ews

MOS-FAQ

联系诺芯盛科技
联系方式: 林生:185-2081-8530

Q Q:88650341

邮箱:lin@icgan.com

MOS-FAQ

mos管振荡原因

发布时间:2025-06-04编辑:国产MOS管厂家浏览:0

在电子电路设计中,MOS管的栅极(G极)振荡问题如同一位“不听话的舞者”,明明驱动信号已经给出了清晰的节奏指令,它却偏偏要跳出额外的“摇摆动作”。这种振荡轻则导致信号畸变,重则引发系统重启甚至器件损坏。那么,究竟是什么让mos管跳起了“不该有的舞蹈”?

寄生参数:振荡的隐形推手

mos管工作时,其内部和PCB布局中隐藏的寄生电感和电容会形成天然的谐振电路。例如,源极寄生电感(Ls)和栅极-漏极电容(Cgd)就像一根弹簧和一个橡皮筋的组合:当栅极电阻较小时,开关速度加快(di/dt增大),寄生电感上的电压U=L*di/dt随之飙升,与Cgd相互作用后,便在米勒平台附近引发电压过冲和振荡。这种现象在高速开关场景中尤为明显,就像用力拉扯橡皮筋后突然松手,弹簧会来回震荡直到能量耗尽。

驱动欠阻尼:回路的“刹车失灵”

当驱动回路的阻尼不足时,寄生电感和电容会形成LC振荡回路。例如,关断过程中若栅极电阻(Rg)过小,相当于给振荡回路“松开了刹车”,能量无法快速消耗,导致栅极电压反复波动。此时,波形上会观察到明显的振铃现象,就像敲钟后余音缭绕,迟迟无法停止。

mos管振荡原因

布局与器件选型:细节决定成败

PCB布局中的走线过长或过细会引入额外寄生电感,而MOS管本身的Cgd容值若与驱动参数不匹配,也会加剧振荡。仿真对比显示,当Cgd从100pH增加到1nH时,振荡幅度显著增大。这好比在狭窄的河道中突然加大水流,湍流和漩涡自然更剧烈。

驯服振荡的三大策略

  1. 调整栅极电阻:增大栅极电阻(Rg)可降低开关速度,减少di/dt,从而抑制寄生电感带来的电压尖峰。但需权衡开关损耗,如同开车时选择“缓踩油门”而非“急加速”。

  2. 优化寄生参数:缩短源极走线、使用多层板降低寄生电感;选择Cgd较小的MOS管或并联RC吸收电路(如DS极间加入RC缓冲),像给振荡回路装上“减震器”。

  3. 驱动电路设计:采用有源米勒钳位或双电阻驱动(Rg_on与Rg_off分开调节),针对开通和关断阶段分别优化阻尼特性,如同为舞者定制“防滑舞鞋”。

从理论到实践:一个案例的启示

某电源设计中,芯片输出端为完美方波,但MOS管G极却出现大幅振荡。工程师通过仿真发现,寄生电感与Cgd共振是主因。最终将栅极电阻从10Ω增至47Ω,并在DS极间并联220pF电容+5Ω电阻,振荡幅度降低70%。这一过程印证了“参数匹配”与“能量吸收”的关键作用。

理解MOS管振荡的本质,实则是与寄生参数的博弈。通过科学分析、精准调参和严谨布局,方能将“叛逆的舞者”驯服为“精准的执行者”,让电路稳定高效地运行。

本文标签: mos管
分享:
分享到

上一篇:mos管损坏的原因分析

下一篇:没有了

首页 下载中心 中低压MOS管产品 高压MOS管产品 第三代半导体GaN 第三代半导体SiC 公司简介 在线留言 网站地图 诺芯盛科技-产品目录下载(PDF)
  • 服务热线:185-2081-8530(林生);QQ:88650341
  • E-Mail:lin@icgan.com
  • 公司地址:深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007
  • 诺芯盛科技供应各类功率器件,中低压MOS管、高压MOS管,第三代半导体GaN SiC等产品
  • Powered by PDMCU
扫码添加mos管振荡原因_MOS-FAQ_新闻中心_高压mos管厂家微信号码: 二维码扫一扫
[TOP]
在线客服

在线咨询

在线咨询

在线咨询

18520818530
二维码

官方微信扫一扫