本文介绍了耗尽型与增强型MOS管的区别，耗尽型MOS管在不加电压时有导电通道，线性特性较好，主要用于模拟信号处理、传感设备和特定驱动等场景。

本文对P沟道MOS管进行了深入剖析，分别介绍了增强型与耗尽型的特点。增强型需要外界激励才能开启导电之路，耗尽型天生导体且在Vgs=0时也能形成导电沟道。

MOSFET分为增强型和耗尽型，前者需栅压开启导电，后者天然导通，具有不同结构和应用特点。

P沟道MOS管通过栅源电压差控制导通，适用于高边开关，简化电路设计。

MOSFET分为增强型和耗尽型，前者需栅压激活，后者无栅压也可导通，结构差异影响性能与应用。

MOS管分为增强型和耗尽型，前者需栅压开启，后者默认导通，各有特色，适用于不同场景。

PTD60N02是一款20V N沟道增强型MOSFET，具有出色的RDS、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作，适用于电池保护和其他开关应用。

N-MOS管优晶YC3400RSB是一款耐压30V的场效应晶体管，主要在电源设备上应用