20v 10a n+p mos dfn3*3

AP20G02BDF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF适合用作电池保护或者在其他切换应用中。

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF特性：

VDS = 20V ID =20A

RDS(ON) <18mΩ @ VGS=10V （Type：12mΩ）

VDS = -20V ID =-18.8A

RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=-10V（Type：25mΩ）

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF工作条件极限参数：

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF可搭配英集芯IP6801、IP6821无线充电发射端芯片，一起组成无线充电线圈前桥驱动电路设计。