MOS管(金属氧化物半导体场效应管)是一种常用的开关元件。它的开关速度快，损耗小，广泛应用于各种电子设备中

本文介绍了使用示波器准确测量MOS管驱动波形的方法，主要分为选择工具、连接方式、测量步骤和技巧四部分。使用高共模抑制比的高压差分探头或具备隔离功能的探头可以有效减少共模噪声的影响。

本文介绍了MOSFET开关时间测试的基本原理，包括测试目的、设备设置和测试步骤，以及Vgs和Vds波形分析。测试结果有助于评估MOSFET在特定应用条件下的响应速度，同时揭示其开关特性的关键参数。

本文探讨了MOS管DS端电压波形振荡的原因，包括寄生参数的影响、开关速度与驱动能力、负载特性以及布局与布线策略。振荡问题对电子设备的稳定性和效率有重大影响，因此必须深入理解并解决。

反激电源主要由MOS管构成，其工作状态影响输出电压。MOS管波形反映了其导通和截止状态，对于分析和优化电源系统至关重要。

全桥MOS管在现代电子电路设计中应用广泛，驱动波形包括半桥和全桥两种方式。驱动波形设计影响MOSFET性能和电路效率。常见问题包括边沿缓慢、高频振铃等，工程师采取措施优化电路设计和增加缓冲电路。

推挽电路中MOS管波形异常诊断与对策。交叉导通引发的"直通"现象和电压尖峰与振铃现象多由驱动信号死区时间不足、栅极驱动电阻过小、米勒电容效应导致误触发引起。

本文主要介绍了MOS管的米勒平台现象，以及其背后的“罪魁祸首”——Cgd电容。文章通过比喻和计算，揭示了MOS管在工作时可能出现的平缓区间，以及其工作原理。最后，文章指出MOS管的Cgd电容是影响其工