N532是一款功率开关控制器，具有高驱动能力、广泛电源适配范围、小巧封装和低功耗特性。适用于电磁炉、电机驱动控制、电源管理系统等应用场景。

PTD60N02是一款20V N沟道增强型MOSFET，具有出色的RDS、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作，适用于电池保护和其他开关应用。

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。

ASDM20P50KQ是一款国产P-MOS管，品牌：安森德 ASCENDSEMI，主要应用于电源开关、电池保护板等

矽睿siwisemi无线充专用MOS管SWH4608B，低成本20V N+P功率管采用SO23-6L小型封装，节省元器件PCB占用空间

安森德ASDsemi低成本30V N+P无线充MOS管AST120C03D6M，采用PDFN3*3-8封装，散热性能好，低内阻N+P通道增强型场效应管

WSD3044DN33是一款高性能沟槽双N沟道MOSFET，符合RoHS和绿色要求，具有极高的单元密度和超低栅极电荷，可实现100%EA，广泛应用于POL应用程序、MB/VGA/Vcore、负载开关和

威兆VSU65R022HS-F是一款高压650V / 118A大电流，18mΩ极小内阻超结MOSFET，主要用于驱动精密大功率电源

VS4802GPHT SGT-MOS管应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统

SP6030F是一款高压半桥栅极驱动器适用于桥式电路设计的芯片双N-MOS或IGBT。可广泛应用于直流无刷电机驱动方案。