国产品牌高压MOS

网站首页 > TAG标签 >  驱动

T
ag

驱动

联系诺芯盛科技
联系方式: 林生:185-2081-8530

Q Q:88650341

邮箱:lin@icgan.com

(驱动)  标签相关文章汇总列表页(Tag)

mosfet驱动电路优缺点

本文总结了几种主流MOSFET驱动方案的优缺点,分析其在效率、稳定性及可靠性方面的表现,为工程选型提供参考。

moc3021驱动可控硅典型电路分析

MOC3021作为光电耦合驱动芯片,通过光信号控制可控硅,实现高效、安全的工业自动化与智能家居应用。

mos管栅极驱动芯片布线

本文从布线工艺角度解析MOSFET栅极驱动设计,重点讨论寄存电感、阻抗匹配及布线拓扑对高频开关性能的影响。

mos管高端驱动电路

文章介绍N沟道MOS管高端驱动技术,重点阐述电容自举和电荷泵两种方案,强调其在提升栅极电压、实现高效开关应用中的关键作用。

mos驱动栅极源极反并联二极管

MOSFET栅极反并联二极管用于抑制电压尖峰,提升系统可靠性和成本效益。

全桥mos管驱动波形分析

本文详解全桥MOS管驱动波形问题,涵盖异常波形诊断与优化方法,强调驱动设计对电源性能的关键作用。

mos管电机驱动电路

MOS管驱动电路通过H桥、PWM和自举升压技术实现高效电机控制,兼顾性能与安全。

高端nmos 驱动电路

本文介绍了高端NMOS驱动电路的原理、自举机制及负载适应性,解析其在DC-DC变换器和电机控制中的应用与优化策略。

N+P低成本20V无线充发射端驱动MOS管PST20G04

主要应用于无线充电线圈驱动

NMOS驱动芯片N531耐压18V

N531驱动芯片是一款高性能的功率开关控制器,具有高效性、稳定性和可靠性。适用于各种类型的电磁炉、电机驱动等设备,但需注意其一些限制条件。

首页 下载中心 中低压MOS管产品 高压MOS管产品 第三代半导体GaN 第三代半导体SiC 公司简介 在线留言 网站地图 诺芯盛科技-产品目录下载(PDF)
  • 服务热线:185-2081-8530(林生);QQ:88650341
  • E-Mail:lin@icgan.com
  • 公司地址:深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007
  • 诺芯盛科技供应各类功率器件,中低压MOS管、高压MOS管,第三代半导体GaN SiC等产品
  • Powered by PDMCU
扫码添加微信号码: 二维码扫一扫
[TOP]
在线客服

在线咨询

在线咨询

在线咨询

18520818530
二维码

官方微信扫一扫