推挽驱动电路通过提升栅极电容充放电速度，优化MOSFET开关性能，解决开关损耗和效率问题。

在高压电源、逆变器和电机驱动等应用中，你是否遇到过这样的难题：系统电压几十伏，开关频率又高，要让NMOS做高边开关却始终达不到栅极驱动要求？

在电力电子设计中，驱动电压从来不仅是“高过阈值就行那么简单”，它决定着功率器件的导通电阻、开关速度与系统热损耗。面对低压高速的MOSFET和中高压大电流的IGBT，

MOS管VGS负压由电感反向电动势、寄生电容充放电和驱动波形过冲引起，危害包括误导通、栅极氧化层损伤及效率下降，对策包括钳位、驱动优化、滤波屏蔽和专用驱动芯片。

文章总结：设计高效可靠的N沟道MOSFET驱动电路需考虑驱动目标、隔离方案、参数选型及自举技术，平衡开关速度与EMI，优化损耗与噪声。

主要应用于无线充电线圈驱动

N531驱动芯片是一款高性能的功率开关控制器，具有高效性、稳定性和可靠性。适用于各种类型的电磁炉、电机驱动等设备，但需注意其一些限制条件。

N532是一款功率开关控制器，具有高驱动能力、广泛电源适配范围、小巧封装和低功耗特性。适用于电磁炉、电机驱动控制、电源管理系统等应用场景。

SP6030F是一款高压半桥栅极驱动器适用于桥式电路设计的芯片双N-MOS或IGBT。可广泛应用于直流无刷电机驱动方案。

直流马达驱动控制N-MOS SGT安森德ASDM100R012NHT是一款低内阻1.1mΩ功率管