国产高压MOS管(第三代半导体功率器件GaN、SiC)

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  • 东微650V 34A高压MOS管OSG65R180GT3F
  • 东微650V 34A高压MOS管OSG65R180GT3F内阻180mΩ
  • GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列,提供高达100A静态电流的规格,最高工作频率达到2MHz以上,可以...

OSG65R180GT3F

产品品牌 Brand: orientalsemi/东微

产品型号 Part No.: OSG65R180GT3F

产品类型 Channel: SJ-MOS

漏源电压 Vds(V): 650V

连续漏极电流 ID(A): 34 A

应用范围: 快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等

资料下载:

【摘要】GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列,提供高达100A静态电流的规格,最高工作频率达到2MHz以上,可以满足各种电源系统的需求。

型号:OSG65R180GT3F
类型:SJ-MOS
VDS(V):650V
VGS(V):±30V
Vth(V):
RDS(on)(mΩ)Typ:
RDS(on)(mΩ)Max:
ID(A):34 A
EAS(mJ):125mj
Ciss(pF):259pF
Qg(nC):20nC
Package:PDFN5×6

       为适应电源系统高效率小型化的需求,东微半导体推出了新型的Greenmos系列高压mosfet, 采用独特专利器件结构和制造工艺,GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡,不仅可以大大提高系统效率、降低发热量,还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列,提供高达100A静态电流的规格,最高工作频率达到2MHz以上,可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。

东微MOS管OSG65R180GT3F示意图

东微MOS管OSG65R180GT3F特性:

(1)低导通电阻(RDS(ON))和低导通损耗(FOM)

(2)极低的开关损耗

(3)出色的稳定性和一致性

东微MOS管OSG65R180GT3F特性及封装

东微mos管OSG65R180GT3F应用领域:

(1)个人电脑电源

(2)LED照明

(3)电信电源

(4)服务器电源

(5)电动汽车充电器

(6)太阳能/不间断电源(UPS)


本文标签: 650V 高压 MOS
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编辑:国产MOS管厂家
时间:2026-08-06

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