MOS管开启电压Vth的精准测量是芯片设计的关键，静态与动态扫描法用于确定Vth，需注意漏电流和干扰。

场效应管功放因声音特质和稳定性备受青睐，但需注意栅极电压稳定、漏电流控制及热管理，以充分发挥其潜力。

文章解析MOS管驱动波形，揭示其背后电流、电容及振荡等关键因素，强调驱动设计中的优化策略。

MOS管驱动需注意栅极电阻，避免振荡与发热，不同场景需选择合适驱动方式。

MOS管通过栅极控制电流通断，结构精密，兼具高灵敏度与高稳定性，是数字电子技术的核心器件。

MOS管击穿分为短路和断路，短路为主，由电压或静电引起，断路罕见，需极端条件。

文章介绍了MOSFET栅极与源极电阻的作用及其在电力电子中的重要性，强调了电阻设计对效率与安全的影响。

MOS管过压损坏导致性能退化、热点形成及系统故障，表现为参数异常与宏观异常，需警惕隐性危机。

MOS管内阻受温度影响显著，温度升高导致载流子迁移率下降，引发导通电阻非线性增长，工艺参数与设计需兼顾温度补偿与性能平衡。

MOSFET栅极驱动电阻选型需平衡开关速度、过冲、振荡、损耗与环境因素，兼顾效率与可靠性。