MOS管栅极串联电阻在电路中发挥稳定、泄放、控制和防护多重作用，优化性能与安全。

本文解析了MOS管米勒平台的物理机制及测量方法，强调了示波器观测与数据手册结合的重要性。

本文介绍MOSFET作为二极管的原理、优势及应用，强调其低损耗、双向控制和快速响应的特点。

P沟道MOS管通过栅源电压差控制导通，适用于高边开关，简化电路设计。

MOSFET栅极反并联二极管用于抑制电压尖峰，提升系统可靠性和成本效益。

开关电源MOS管炸裂问题涉及失效机理、防护策略及调试技巧，需从电压、电流、寄生参数及驱动信号等多方面综合防护。

P沟道MOSFET通过栅源电压控制开启，需VGS低于阈值电压，受体效应和温度影响其性能。

本文详解2000W级MOS管选型，涵盖应用场景、关键参数及主流型号，强调性能与温度管理的重要性。

1000V同步整流MOS实现高效能、低能耗，广泛应用于高端电子领域，提升性能与能效。

同步整流技术通过低Ron MOSFET提升DC/DC变换器效率，导通电阻影响损耗与发热，需兼顾静态与动态性能。