MOSFET故障可能导致母线电压消失，表现为短路或开路，常见故障包括雪崩失效和驱动问题，需通过检测判断。

电源反接隐患严重，MOS管选型需关注电压、电流、电阻等参数，合理设计防反接电路。

文章总结：MOSFET选型需关注Vds、Id、Rds(on)及Qg，综合考虑效率、散热与成本，确保系统稳定运行。

本文从MOS管电流参数、导通电阻、耐压等级等方面解析其选型要点，强调安全性与效率的平衡。

MOS管中，源极与漏极功能不同，源极为电子供应端，漏极为电流输出端，不可互换。

MOS管体二极管压降0.7-1V，影响电路效率与安全，高温降低损耗，低温增大压降，需合理设计以优化性能。

MOS管的电压承受能力需注意绝对最大额定值，避免过压损坏，尤其在开关电源中需考虑电压尖峰。

文章介绍了高速开关电路中MOS管栅极与源极间波形抖动的问题，分析了寄生参数引发的共振现象，并提出了阻尼元件、反馈网络调谐和器件参数优化等解决方案。

亚阈值区具有低功耗、高灵敏度，适用于低功耗电子器件。

MOS管下拉电阻选10kΩ，平衡功耗与响应，确保电路稳定高效。